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Micro LED:晶能光电硅衬底GaN基手艺的又一重年夜利用机遇

文章来源:1ZPLAY电竞  作者:1ZPLAY电竞  发布日期:2020-03-01 12:35:45  浏览次数:941

  因具有超高解析度,高色采饱和度,纳秒级响应时候和低功耗等长处,Micro LED成为Apple、Sony、Facebook、Samsung、LG、Osram、Nichia等国际年夜厂争相结构的新世代显示手艺。

  作为全球硅衬底GaN基LED手艺的领跑者,晶能光电比来也将眼光投向了Micro LED。

  Micro LED芯片线路的选择,必需要斟酌到本钱、良率、和和转移/键合工艺的兼容。外延片尺寸越年夜,不单可以下降芯片本钱,提高外延面积操纵率,并且更轻易兼容IC工艺以晋升Micro LED出产效力和良率。

  晶能光电副总裁付羿暗示,今朝只有硅衬底GaN基LED实现了8英寸量产,而且在单片MOCVD腔体中获得了8英寸外延片内波长离散度小在1nm的优良平均性,这对Micro LED来讲相当主要。商用的12英寸和以上的硅圆晶已完全成熟,跟着高平均度MOCVD外延年夜腔体的推出,硅衬底LED外延进级到更年夜圆晶尺寸不存在素质坚苦。

  付羿介绍到,硅衬底GaN 基LED采取化学湿法去除衬底工艺以获得LED薄膜芯片,这类湿法剥离避免了对LED外延层的毁伤,对包管细小电流驱动的Micro LED的光效和良率很是要害。

  作为比力,蓝宝石衬底激光剥离对GaN外延层的毁伤难以免,而且可以预感,当蓝宝石衬底可以或许进级到更年夜尺寸后,激光剥离衬底良率的挑战会愈来愈年夜。在薄膜芯片制程中,固然SiC和GaN衬底LED不需要激光剥离,但因为这两种衬底的价钱极高(特别是年夜尺寸衬底),将加年夜Micro LED与OLED的市场竞争难度。

  他指出,今朝Micro LED薄膜芯片的布局设计分为倒装(同侧双电极)和垂直(上下电极)两种。对典型尺寸的Micro LED(芯片边长不跨越10μm),假如采取同侧双电极布局,和节制背板的一次键合便可以完成正负极毗连,但在键合进程中轻易呈现正负电极短路,同时对键合切确度也有很年夜挑战。与此比拟,上下电极的薄膜垂直Micro LED更有助在键合良率,但需要增添一层共阴(或共阳)的透明电极。

  总之,不管后端工艺要求同侧双电极布局仍是上下电极布局,年夜尺寸硅衬底LED薄膜芯片制程都可以或许响应制备低本钱、高良率的Micro LED芯片。

  付羿认为,低本钱、年夜尺寸、可无损剥离的硅衬底薄膜LED工艺将有力鞭策Micro LED的开辟与财产化。

  对晶能光电插手Micro LED的研究阵营,易美芯光CTO刘国旭博士评论道:“硅衬底GaN基手艺的特征是制造Micro LED芯片的自然选择,晶能光电在硅衬底GaN基LED范畴堆集了十余年的手艺和量产经验,如能转移至Micro LED,Micro LED的利用将会向前迈一年夜步。”

  也许正如刘国旭所说:Micro LED或将是晶能光电的又一重年夜利用机遇!